Лекция №2. Использование солнца как источника электрической энергии
Лекция №3. Использование солнца как источника электрической энергии (продолжение)
Содержание лекции:устройство, принцип работы и характеристика фотоэлемента, термодинамическое преобразование солнечной энергии в электрическую, солнечные электростанции.
Цель лекции:изучить устройства и энергетические возможности фотоэлементов, солнечных электростанции на основе термодинамического преобразования
Устройство фотоэлемента
Фотоэлемент на основе полупроводников состоит из алюминиевой подложки, двух слоев полупроводников с разной проводимостью, защитного антибликового стекла и отрицательных электродов (рисунок 2 ). К слоям с разных сторон подпаиваются контакты, которые используются для подключения к внешней цепи. Роль катода играет слой с n-проводимостью (электронная проводимость), роль анода — p-слой (дырочная проводимость).
Принцип действия фотоэлемента
Контакт p—или n-полупроводников приводит к образованию между ними контактного электрического поля, играющего важную роль в работе солнечного фотоэлемента.
Рассмотрим причину возникновения контактной разности потенциалов. При соединении в одном монокристалле полупроводников p- и n-типа возникает диффузионный поток электронов из полупроводника n-типа в полупроводник p-типа и, наоборот, поток дырок из p- в n-полупроводник. В результате такого процесса прилегающая к p-n переходу часть полупроводника p-типа будет заряжаться отрицательно, а прилегающая к p-n переходу часть полупроводника n-типа, наоборот, приобретет положительный заряд.
Таким образом, вблизи p-n перехода образуется двойной заряженный слой, который противодействует процессу диффузии электронов и дырок. Действительно, диффузия стремится создать поток электронов из n-области в p-область, а поле заряженного слоя, наоборот, – вернуть электроны в n-область.
Аналогичным образом поле в p-n переходе противодействует диффузии дырок из p- в n-область. В результате устанавливается равновесное состояние: в области p-n перехода
Рисунок 2 — Строение фотоэлемента
возникает потенциальный барьер, для преодоления которого электроны из n-полупроводника и дырки из p-полупроводника должны затратить определенную энергию.
Рассмотрим работу p-n перехода в фотоэлементах. При поглощении света в полупроводнике возбуждаются электронно-дырочные пары. В однородном полупроводнике фотовозбуждение увеличивает только энергию электронов и дырок, не разделяя их в пространстве, то есть электроны и дырки разделяются «пространстве энергий», но остаются рядом в геометрическом пространстве.
Для разделения носителей тока и появления фотоэлектродвижущей силы (фотоЭДС) должна существовать дополнительная сила. Наиболее эффективное разделение неравновесных носителей имеет место именно в области p-n перехода. Генерированные вблизи p-n перехода «неосновные» носители (дырки в n-полупроводнике и электроны в p-полупроводнике) диффундируют к p-n переходу, подхватываются полем p-n перехода и выбрасываются в полупроводник, в котором они становятся основными носителями: электроны будут локализоваться в полупроводнике n-типа, а дырки – в полупроводнике p-типа.
В результате полупроводник p-типа получает избыточный положительный заряд, а полупроводник n-типа – отрицательный. Между n- и p-областями фотоэлемента возникает разность потенциалов – фотоЭДС, или напряжение в режиме холостого хода. Полярность фотоЭДС соответствует «прямому» смещению p-n перехода, которое понижает высоту потенциального барьера и способствует инжекции дырок из p-области в n-область и электронов из n-области в p-область. В результате действия этих двух противоположных механизмов – накопления носителей тока под действием света и их оттока из-за понижения высоты потенциального барьера – при разной интенсивности света устанавливается разная величина фотоЭДС. При этом величина фотоЭДС в широком диапазоне освещенностей растет пропорционально логарифму интенсивности свет, достигая насыщения при больших освещённостях.
При коротком замыкании освещенного p-n перехода в электрической цепи потечет ток, пропорциональный по величине интенсивности освещения и количеству генерированных светом электронно-дырочных пар. При включении в электрическую цепь полезной нагрузки, величина тока в цепи несколько уменьшится. Обычно электрическое сопротивление полезной нагрузки в цепи солнечного элемента выбирают таким, чтобы получить максимальную отдаваемую этой нагрузке электрическую мощность.
Башенные СЭС
Расположенная в Барстоу (Америка) башенная СЭС Solar-1 имеет мощность 10 МВт, площадь зеркал -73,2 тыс.м 2 , 1818 гелиостатов, высота парового котла -14 м, диаметр -7,2 м, температура пара 560-1482 0 С (рисунок 8).
Рисунок 8 — Башенная СЭС Solar-1
Расположенная во Франции башенная СЭС THEMISимеет мощность 2,5 МВт, площадь зеркал -108 тыс. м 2 , 201 гелиостатов, высота башни — 80 м, , температура теплопринимающей поверхности 505 0 С, КПД 16% (рисунок 9).
Расположенная на острове Сицилия башенная СЭС Eureliosимеет мощность 1 МВт, площадь зеркал -35 тыс. м 2 , 182 гелиостатов, высота башни — 35 м, , температура теплопринимающей поверхности 512 0 С, КПД 16% (рисунок 10).
В Крыму действует башенная СЭС: мощность 5 МВт, высота -70 м, 1600 гелиостатов, температура пара -250 0 С, давление пара — 4МПа
Рисунок 9 — Башенная СЭС THEMIS Рисунок 10 — Башенная СЭС Eurelios
Модульные СЭС
В Израиле введена в эксплуатацию модульная СЭС, которая состоит из 560 модулей, каждый модуль имеет длину 5,2 м, апертуру 2,57 м 2 ( рисунок 11)
Рисунок 11 — Модульная СЭС с параболоцилиндрическими концентраторами
Модульные СЭС параболическими концентраторами построены в США, Франции, Италии, Японии, Австрии, мощность которых находится в пределах от несколько МВТ до 13,8МВт (рисунок 12 ).
;
Рисунок 12 — Модульная СЭС с параболическими концентраторами
Лекция №2. Использование солнца как источника электрической энергии
Содержание лекции:общая характеристикасолнечного излучения, классификация солнечных энергетических установок, солнечные термоэлектрические и фотоэлектрические преобразователи
Цель лекции:изучить энергетические возможности солнечной энергии испособы и устройства для ее преобразования в электрическую энергию
В 1996 году на Всемирной встрече по проблемам солнечной энергии (г.Хараре, Зимбабве) приняты «Всемирная солнечная программа» и «Харарская Декларация по солнечной энергетике и устойчивому развитию», определившие, что солнечная энергия должна играть заметную роль в обеспечении энергией, сохранении использования природных ресурсов и уменьшении деградации окружающей среды.
Источник лучистой энергии — Солнце — ближайшая к Земле звезда, раскалённый плазменный шар радиусом 696 тыс.км. Солнце вращается вокруг своей оси в том же направлении, что и Земля. Светимость Солнца 3,86х10²³ кВт, эффективная температура поверхности около 6000 К, химический состав: водород — около 90% , гелий – 10%, другие элементы – менее 0,1%.
Источник энергии Солнца – ядерные превращения водорода в гелий в центральной области Солнца, где температура около 15 млн К. Энергия из недр Солнца к его поверхности переносится излучением, а затем во внешнем слое, толщиной около 0,2 радиуса шара – конвекцией. Конвективное движение плазмы определяет наличие фотосферной грануляции — солнечных пятен. Интенсивность плазменных процессов на Солнце периодически – через 11 лет меняется. На Землю, находящуюся от Солнца на расстоянии 149 млн км поступает поток солнечной лучистой энергии мощностью около 2 10 17 Вт.
Солнечный спектр можно разделить на три основные группы:
— ультрафиолетовые излучение (длины волны до 0,4 мкм) – 9% интенсивности;
— видимое излучение (длины волны от 0,4 мкм до 0,7 мкм) – 45% интенсивности;
— инфракрасные (тепловое) излучение (длины волны более 0,7 мкм) – 46 % интенсивности;
Для количественной оценки излучения применяется величина, называемая интенсивностью.
Интенсивность Ес[Вт/м 2 ] – эта мощность лучистой энергии, приходящей за пределами земной атмосферы в секунду на квадратный метр площади, перпендикулярной солнечным лучам.
При прохождении через атмосферу солнечный свет ослабляется, в основном за счет поглощения излучения парами воды – облаками (инфракрасное излучение), озоном (ультрафиолетовое излучение), частицами пыли, золы, дыма и аэрозолей, за счет рассеяния светового потока молекулами газов. Все эти поглощения света образуют понятие – оптическая плотность атмосферы или атмосферная масса (АМ).
При нулевой атмосферной массе АМ0 на верхней границе атмосферы и в космическом пространстве интенсивность излучения равна Ес = 1360 Вт\м².
Величина атмосферной массы АМ1 соответствует оптической плотности чистого безоблачного неба над уровнем моря при расположении Солнца в зените.
Стандартной величиной атмосферной массы является АМ1,5 при θ = 41° 49′ , при которой плотность солнечного излучения Ес = 835 Вт\ м².
В диапазоне оптических частот существенно проявляется квантовый характер электромагнитного излучения и двойственность природы света – волновая и корпускулярная.
Квант электромагнитного излучения – ФОТОН — элементарная частица, обладающая нулевой массой покоя и скоростью, равной скорости света. Она не имеет ни электрического заряда, ни магнитного момента. Энергия фотонов hν=[ эВ], в излучении с длиной волны λ определяется соотношением
hν = hc\ λ = 1,24\ λ (1)
где h=6,63∙10 -34 Дж∙ с – постоянная Планка;
с= 2,99∙10 8 м/с — скорость света;
λ – длина волны, мкм.
Электрон-вольт – работа, которую необходимо совершить, чтобы переместить электрон между двумя точками с разностью потенциалов 1В.
1 эВ =1,6∙10 -19 Дж.
Граничная длина волны, начиная с которой фотоны будут поглощаться в материале солнечного элемента с шириной запрещенной зоны Еg: λгр= 1,24/ Еg.
Более длинноволновое излучение не поглщается в полупроводнике и, следовательно, бесполезно с точки зрения фотоэлектрического преобразования.
Запрещенная зона — зона, характеризующаяся отсутствием энергетических уровней, различна по ширине для разных материалов.
Солнечное излучение на поверхность Земли зависит от многих факторов:
– широты и долготы местности;
– географических и климатических особенностей; – состояния атмосферы;
– высоты Солнца над горизонтом;
– размещение приемника солнечного излучения на Земле;
– размещение приемника солнечного излучения по отношению к Солнцу и т. д.
Суммарное солнечное излучение, достигающее поверхности Земли, обычно состоит из трех составляющих:
1. Прямое солнечное излучение, поступающее от Солнца на приемную площадку в виде параллельных лучей.
2. Диффузионное или рассеянное молекулами атмосферных газов и аэрозолей солнечное излучение.
3. Отраженнаяземной поверхностью доля солнечного излучения.
Классификация солнечных энергетических установок.Солнечная энергия на Земле используется с помощью солнечных энергетических установок, которые можно классифицировать по следующим признакам:
– по виду преобразования солнечной энергии в другие виды энергии – тепло или электричество;
– по концентрированию энергии – с концентраторами и без концентраторов;
– по технической сложности – простые (нагрев воды, сушилки, на-гревательные печи, опреснители и т. д.) и сложные.
Сложные солнечные энергетические установки можно разделить на два подвида.
Первый базируется в основном на системе преобразования сол-нечного излучения в тепло, которое далее чаще всего используется в обычных схемах тепловых электростанций. К таким установкам относятся башенные солнечные электрические станции, солнечные пруды, солнечные энергетические установки с параболоцилиндрическими концентраторами. Сюда же относятся и солнечные коллекторы, в которых происходит нагрев воды с помощью солнечного излучения.
Второй подвид солнечных энергетических установок базируется на прямом преобразовании солнечного излучения в электроэнергию с помощью солнечных фотоэлектрических установок.
В настоящее время в мире наиболее перспективными являются два вида солнечных энергетических установок:
– солнечные фотоэлектрические преобразователи.
Термоэлектрическиепреобразователи
В основе прямого преобразования тепловой энергии солнечного излучения в электричество лежит эффект Зеебека, открытый в 1821 году. Если спаять концами два проводника разного химического состава и поместить спаи в среды с разными температурами (рисунок 1), то между ними воз-никает термо-ЭДС:
где Т1– абсолютная температура горячего спая; Т2– абсолютная температура холодного спая; α– коэффициент пропорциональности.
В цепи проводников возникает ток I , причем горячий спай за секунду поглощает теплоту из нагретого источника в количестве Q = αT1I , а холодный спай отдает теплоту низкотемпературному телу в количестве
Рисунок 1 – Конструкция термоэлектрического преобразователи
Q2= αT2I . Разность подведенной и отведенной теплоты составляет секундную работу тока L, Вт:
Отношение работы к подведенной теплоте есть термический КПД процесса преобразования:
(4)
Таким образом, КПД идеального термоэлектрического преобразователя совпадает с термическим КПД цикла Карно и полностью определяется абсолютными температурами холодного и горячего спаев. В реальных преобразователях имеют место потери из-за электрического со-противления проводников, их теплопроводности и термического сопротивления теплообмену спаев с окружающими средами. Поэтому дейст-вительный КПД установки равен:
(5)
| ç |
где 
1 – относительный электрический КПД преобразователя.
При использовании металлических термоэлектродов КПД термоэлектрических преобразователей очень мал – не превышает сотых долей процента.
Значительный эффект дает применение полупроводников – КПД возрастает до величины порядка 10 %..
В современных термоэлектрических генераторах полупроводниковые термоэлементы, в которых горячие спаи нагреваются солнечными лучами, соединены последовательно. Такого рода генераторы применяются в качестве автономных источников электроэнергии для потребителей малой мощности – маяков, морских сигнальных буев, космических аппаратов и т. п.
Термогенераторы бывают низкотемпературные, среднетемпературные и высокотемпературные.
Максимальная рабочая температура самых распространённых термоэлектрических генераторов – 200-250°C (они относятся к классу низкотемпературных). Их типовые размеры – 3 х 3 и 4 х 4 сантиметра. Напряжение, ток, мощность – порядка 2В, 1А, 2Вт (при температурах холодного / горячего спая 50 — 150 °С).
Фотоэлектрическиепреобразователи
Фотоны взаимодействуют электромагнитным образом со всеми элементарными частицами, создают процессы – излучение, поглощение, упругое рассеяние энергии. Под действием потока фотонов в некоторых полупроводниках возникает внутренний фотоэффект, при котором происходит переход носителей зарядов из связанного состояния в свободное и скопление их на p – n переходах, создающее разность потенциалов на поверхностях элемента.
Вентильный фотоэффект или фотоэлектрический эффект – это возникновение ЭДС в системе, содержащей контакт двух разных полупроводников или полупроводника и металла при поглощении квантов излучения оптического диапазона.
Фотоэлемент — электронный прибор, который преобразует эн ергию фотонов в электрическую энергию. Подразделяются на электровакуумные и полупроводниковые фотоэлементы. Действие прибора основано на фотоэлектронной эмиссии или внутреннем фотоэффекте. Первый фотоэлемент, основанный на внешнем фотоэффекте, создал Александр Столетов в конце XIX века.
Наиболее эффективными, с энергетической точки зрения, устройствами для превращения солнечной энергии в электрическую являются полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи (ФЭП), поскольку это прямой, одноступенчатый переход энергии. КПД производимых в промышленных масштабах фотоэлементов в среднем составляет 10-18 %, у лучших образцов до 25 %. В лабораторных условиях уже достигнуты КПД около 44,7 %.
Источник